Los memristores superan a las memorias flash en un orden de magnitud en capacidad de reescritura. Ambos mantienen los datos aunque se retire la energía, pero los primeros resisten hasta 1 millón de ciclos de escritura antes de presentar errores, mientras que los segundos se tienen que conformar con 100.000. Y estamos hablando de los primeros estadios de investigación porque, seguramente, en cuanto HP lance al mercado estas memorias tan especiales, el resto de fabricantes se lanzarán a la carrera para optimizarlos al máximo.
De todos modos, hay que andar con cierta cautela porque el comportamiento de los óxidos metálicos no resulta tan conocido como el del silicio. Una mejor comprensión de las propiedades materiales fundamentales de los óxidos metálicos utilizados para fabricar los memristores será crucial para garantizar que los chips con miles de millones de estos dispositivos funcionan de manera fiable durante un período de 10 años.
HP espera que su tecnología de memoria de memristor se escale mejor que el flash y espera poder ofrecer un producto con una densidad de almacenamiento de alrededor de 20 gigabytes por centímetro cuadrado en 2013, el doble del almacenamiento que se espera que ofrezca flash en ese momento. Ya ardemos de ganas de probar estas nuevas memorias que prometen un salto cuantitativo importante para que la ley de Moore siga manteniéndose efectiva.
Observación: leon chua: http://es.wikipedia.org/wiki/Leon_Chua
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Fuente: Technology Review
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